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本发明提供一种闪存存储阵列及其制造方法，通过定义新的存储阵列，取消有源区之间的隔离结构以及每个存储位漏极区的导电接触插塞结构，使同列的所有存储位的源极区和漏极区由两个导电接触插塞分别连接，从而大幅减低单个存储位的面积，大幅降低导电接触插塞的...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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