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本发明描述了半导体器件及其制造方法。在衬底上形成第一氧化铪(HfO2)层。在第一氧化铪层上方形成钛(Ti)层。在钛层上方形成第二氧化铪层。热退火复合器件结构以产生具有插入在第一氧化铪层和第二氧化铪层之间的氧化铪钛(HfxTi1‑xO2)层的...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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