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本发明的实施例涉及防止集成电路内的线间多孔电介质过早击穿的新颖保护。使用堆叠，其包括双钝化(CPSI、CPSS)并且被局部蚀刻以暴露集成电路的位于集成电路的互连部分的最后金属化层级之上的接触垫(PLCT)，以保护上述集成电路防止至少一个电介...
该专利属于意法半导体(鲁塞)公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体(鲁塞)公司授权不得商用。

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