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本发明实施例公开了一种用于制造半导体结构的方法，该方法包括：提供衬底；在该衬底上方形成MRAM结构；在该MRAM结构上方形成第一介电层；在该第一介电层上方形成停止层；在该停止层上方形成第二介电层；以及在没有暴露MRAM结构的顶部电极的情况下...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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