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公开了宏晶体管结构。在某些情况下，所述宏晶体管结构具有类似于长沟道晶体管的相同数量的端子和特性，但是适合于深亚微米技术深亚微米工艺节点下的模拟电路。例如利用串联构造和布置的多个晶体管并且其中它们的栅极连结在一起能够实施宏晶体管结构，本文中通...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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