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本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一叠层结构、一刻蚀停止层以及一导电结构。叠层结构包括多个导电层及多个绝缘层，导电层与绝缘层系交错叠层设置(interlaced)。刻蚀停止层形成于叠层结构的一侧壁上，刻蚀停止层的一能带宽...
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