半导体结构及其制造方法技术

技术编号:16456215 阅读:147 留言:0更新日期:2017-10-25 20:42
本发明专利技术公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一叠层结构、一刻蚀停止层以及一导电结构。叠层结构包括多个导电层及多个绝缘层,导电层与绝缘层系交错叠层设置(interlaced)。刻蚀停止层形成于叠层结构的一侧壁上,刻蚀停止层的一能带宽度(energy gap)系为大于6电子伏特(eV)。导电结构电性连接于此些导电层的至少其中之一。

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

The invention discloses a semiconductor structure and a manufacturing method thereof. The semiconductor structure includes a stack of layers, an etch stop layer, and a conductive structure. The laminated structure includes a plurality of conductive layers and a plurality of insulating layers, and the conductive layer is arranged in an interlaced layer with an insulating layer (interlaced). The etch stop layer is formed on the side wall of the laminated structure, etch stop layer of a band width (energy gap) is greater than 6 ev (eV). The conductive structure is electrically connected to at least one of these conductive layers.

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本专利技术是有关于一种半导体结构及其制造方法,且特别是有关于一种三维半导体结构及其制造方法。
技术介绍
近年来半导体元件的结构不断地改变,且元件的存储器储存容量也不断增加。存储装置系使用于许多产品之中,例如MP3播放器、数字相机、计算机档案等等的储存元件中。随着应用的增加,对于存储装置的需求也趋向较小的尺寸、较大的存储容量。因应这种需求,系需要制造高元件密度及具有小尺寸的存储装置。当元件密度增高时,半导体元件的结构则具有较多的叠层平面,因而造成导电接触结构的制作难度提高,进而影响制成的结构的稳定性。因此,设计者们无不致力于开发一种三维半导体装置,不但具有许多叠层平面,具有更微小的尺寸,同时具备良好的稳定性。
技术实现思路
本专利技术是有关于一种半导体结构及其制造方法。实施例中,半导体结构中,刻蚀停止层的能带宽度(energygap)系为大于6电子伏特(eV),如此一来可以降低电场,提高刻蚀停止层的隧穿长度,提高电子隧穿通过刻蚀停止层的难度,而可以降低隧穿电流并且更有效地电性隔绝不同的导电层。根据本专利技术的一实施例,系提出一种半导体结构。半导体结构包括一叠层结构、本文档来自技高网...
半导体结构及其制造方法

【技术保护点】
一种半导体结构,包括:一叠层结构,包括:多个导电层;及多个绝缘层,这些导电层与这些绝缘层系交错叠层设置(interlaced);一刻蚀停止层,形成于该叠层结构的一侧壁上,其中该刻蚀停止层的一能带宽度(energy gap)系为大于6电子伏特(eV);以及一导电结构,电性连接于这些导电层的至少其中之一。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构,包括:一叠层结构,包括:多个导电层;及多个绝缘层,这些导电层与这些绝缘层系交错叠层设置(interlaced);一刻蚀停止层,形成于该叠层结构的一侧壁上,其中该刻蚀停止层的一能带宽度(energygap)系为大于6电子伏特(eV);以及一导电结构,电性连接于这些导电层的至少其中之一。2.根据权利要求1所述的半导体结构,其中该刻蚀停止层位于该导电结构和该侧壁之间。3.根据权利要求1所述的半导体结构,更包括:多个该导电结构,这些导电结构分别电性连接于各个这些导电层。4.根据权利要求1所述的半导体结构,其中该刻蚀停止层具有彼此相连接的一垂直段以及一水平段,该垂直段位于该侧壁上,该导电结构穿过该水平段以电性连接于该至少其中之一个导电层,且该导电结构邻接该刻蚀停止层的该垂直段。5.根据权利要求1所述的半导体结构,其中该刻蚀停止层包括:一第一停止层,形成于该叠层结构的该侧壁上,该第一停止层的一能带宽度系为大于6电子伏特;以及一第二停止层,形成于该第一停止层上;其中该第一停止层形成于该第二停止层和该叠层结构的该侧壁之间,该导电结构邻接该第二停止层,该第一停止层的材料包括氧化硅、氧化铝、氧化镁、硅锆氧化物、硅铪氧化物或上述的组合,该第二停止层的材料包括氮化硅、氧化铝、氧化镁、硅锆氧化物、硅铪氧化物或上述的组合,且该第一停止层不同于该第二停止层。6.一种半导体结构的制造方法,包括:形成...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈士弘
申请(专利权)人:旺宏电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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