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一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法，属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效改善砷化镓基半导体激光器的腔面稳定性，使砷化镓基半导体激光器的性能受到很大限制。本发明依次采用氩气、氢气、氧气、氮气或其混合气体的等离子体及含六氟化硫等离...
该专利属于长春理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过长春理工大学授权不得商用。

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