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利用基于能实现高Ft以及也具有充分高的击穿电压(BV)的III族‑氮化物(III‑N)的晶体管技术来集成RFIC与PMIC的片上系统(SoC)解决方案，以实现高电压和/或高功率电路。在实施例中，III组‑N晶体管结构容易进行缩放，以在很多相...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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