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本发明描述了用于非平面半导体器件架构的精密电阻器。在第一示例中，半导体结构包括设置在衬底上方的第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物。电阻器结构设置在所述第一半导体鳍状物上方，但不设置在所述第二半导体鳍状物上方。晶体管结构由所述第二半导体鳍状物...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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