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本实用新型公开了一种瞬态电压抑制器（TVS）芯片结构，其特征在于：包括N+结构层、N‑结构层、P结构层、P+结构层、玻璃保护层、金属面层。所述芯片N+结构层正面设置为N‑结构层，N‑结构层正面设置为P‑结构层，P‑结构层正面设置为P+结构层...
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