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公开了一种半导体器件，所述半导体器件具有包括第一区和第二区的衬底。第一层间绝缘层和导电图案交替层叠在所述衬底的第一区上。第二层间绝缘层覆盖所述第一层间绝缘层和所述导电图案。电阻器形成在所述衬底的第二区中的第二层间绝缘层中。...
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