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湿蚀刻方法、基板液处理装置以及存储介质制造方法及图纸
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下载湿蚀刻方法、基板液处理装置以及存储介质的技术资料
文档序号:16308635
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湿蚀刻方法具备以下步骤:使基板(W)旋转;向正在旋转的基板的第一面(器件形成面)供给蚀刻用的药液;以及在向基板供给药液的期间中,向基板的第二面(非器件形成面)供给蚀刻抑制液(DIW)。蚀刻抑制液经过基板的端缘(WE)而绕到第一面且到达第一区...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。
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