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本发明实施例提供了一种半导体结构。半导体结构包括具有顶面的半导体衬底、位于半导体衬底上方的III‑V族化合物层和位于成III‑V族化合物层上方的第一钝化层。半导体结构还包含位于第一钝化层上方的蚀刻停止层。半导体结构还包含位于第一钝化层上方并...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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