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本发明实施例提供了一种半导体器件。半导体器件包含：半导体衬底；位于半导体衬底上方的第一介电层；位于第一介电层上方的第二介电层；延伸穿过第二介电层的通孔；在通孔的底部并沿着通孔侧壁共形地形成的底部导电层；在底部导电层上方共形地形成的第三介电层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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