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半导体存储器装置及其地址控制方法制造方法及图纸
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文档序号:16301959
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半导体存储器装置及其地址控制方法。半导体存储器装置基于所输入的并行地址来选择性地切换至少两个存储单元并写入或读取数据,其包括控制单元,所述控制单元以如下方式进行控制:在第一次数据存取中,基于所述输入的并行地址对所述半导体存储器装置进行存取后...
该专利属于力晶科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过力晶科技股份有限公司授权不得商用。
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