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制造半导体器件的方法包括在介电层上方设置图案化掩模的步骤。介电层包括低温固化聚酰亚胺。该方法进一步包括通过图案化掩模将介电层的第一表面暴露于I线步进器内的I线波长，以及显影介电层以形成开口的步骤。本发明的实施例还涉及半导体器件。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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