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本发明可具体实施于一种用于监视并控制例如集成电路制作过程等制造过程中的反馈控制的系统及方法中。过程控制参数可包含通过在硅晶片上操作的光刻扫描仪或步进器所施加的平移、旋转、放大、剂量及焦距。使用覆盖误差来计算所述反馈控制过程中使用的测得参数。...
该专利属于科磊股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过科磊股份有限公司授权不得商用。

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