检测及校正疑难的先进过程控制参数的方法及系统技术方案

本发明专利技术可具体实施于一种用于监视并控制例如集成电路制作过程等制造过程中的反馈控制的系统及方法中。过程控制参数可包含通过在硅晶片上操作的光刻扫描仪或步进器所施加的平移、旋转、放大、剂量及焦距。使用覆盖误差来计算所述反馈控制过程中使用的测得参数。统计参数经计算、正规化并绘制在一组共同轴上以一目了然地比较测得参数与过程控制参数以促进疑难参数的检测。还以图表方式比较参数趋势与背景松弛情境。可确定例如EWMAλ等反馈控制参数并将其用作反馈参数以用于精炼基于所述测得参数计算对所述过程控制参数的调整的APC模型。

Method and system for detecting and correcting difficult advanced process control parameters

The present invention can be specifically implemented in a system and method for monitoring and controlling feedback control during manufacturing processes such as integrated circuit manufacturing processes. The process control parameters may include translation, rotation, amplification, dose, and focal length applied by a lithographic scanner or stepper operated on the silicon wafer. The measured parameters used in the feedback control process are calculated using the overlay error. The statistical parameters are computed, normalized and plotted on a set of common axes to compare the measured parameters and process control parameters at a glance to facilitate detection of difficult parameters. Charts are also used to compare parameter trends and background relaxation scenarios. The feedback control parameters such as EWMA, lambda, etc. can be determined and used as feedback parameters for refining the APC model for calculating the adjustment of the process control parameters based on the measured parameters.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及集成电路制造，且更特定来说涉及一种用于监视并控制集成电路制造过程中的反馈参数的方法。
技术介绍
先进过程控制(APC)系统当前用以实施集成电路(IC)制造过程中的反馈控制。IC制造过程通常包含晶片处理工具(例如，扫描仪或步进器)，其适合用于在晶片(例如，硅晶片)中形成一系列所要图案层以产生IC装置。可由通过所述过程工具在所述制造过程的每一步骤处施加的若干过程控制参数来控制所述制造过程。这些过程控制参数可包含(但不限于)晶片跨所述过程工具(扫描仪或步进器)的平移速率、晶片相对于所述过程工具的旋转角度、通过所述过程工具施加于晶片的辐射的剂量、通过所述过程工具的源图案(标线片)的放大，及通过所述过程工具在晶片上的源图案的焦距。APC系统自动地实时或接近实时控制这些过程控制参数中的一者或一者以上，以随着图案形成过程在不同层之间进行而抵消所扫描的图案中测量的误差。随着IC制造过程进行，使用计量系统以监视扫描到晶片上的图案，使得可做出调整以抵消制造过程期间可能形成的误差本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于监视反馈过程控制系统的方法，其包括以下步骤：接收与调整半导体装置处理线的半导体晶片过程工具相关联的多个所施加过程控制参数；测量半导体晶片的多个计量目标位置处的覆盖误差；基于所述测得覆盖误差确定一组测得参数；通过比较所述所施加过程控制参数与所述测得参数确定一组经修订过程控制参数；确定与所述测得参数相关联的第一组统计参数及与所述经修订过程控制参数相关联的第二组统计参数中的至少一者；及显示所述第一组统计参数及所述第二组统计参数中的至少一者。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.09.01 US 61/530,093;2012.08.29 US 13/597,9441.一种用于监视反馈过程控制系统的方法，其包括以下步骤：
接收与调整半导体装置处理线的半导体晶片过程工具相关联的多个所施加过程
控制参数；
测量半导体晶片的多个计量目标位置处的覆盖误差；
基于所述测得覆盖误差确定一组测得参数；
通过比较所述所施加过程控制参数与所述测得参数确定一组经修订过程控制参
数；
确定与所述测得参数相关联的第一组统计参数及与所述经修订过程控制参数相
关联的第二组统计参数中的至少一者；及
显示所述第一组统计参数及所述第二组统计参数中的至少一者。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述过程工具包括光刻扫描仪及光刻步进器中的
至少一者。
3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括计算并显示说明所述第一组统计参数及
所述第二组统计参数中的至少一者的图表的步骤。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一组统计参数包括所述测得参数的平均数
及偏差中的至少一者。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二组统计参数包括所述经修订过程控制参
数的至少一偏差。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一组统计参数包括图表，所述图表包括在
一组共同轴上并排显示的所述测得参数的正规化平均数加上偏差值。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二组统计参数包括图表，所述图表包括在
一组共同轴上并排显示的所述经修订过程控制参数的偏差值。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述经修订过程控制参数的所述偏差值包括
n*sigma值，其中sigma表示标准偏差。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述所施加过程控制参数包括平移参数、旋转参
数、放大参数、剂量参数及焦距参数中的至少一者。
10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括显示在连续的晶片批次上发生的所施加
过程控制参数、测得参数及经修订过程控制参数的图表的步骤。
11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括显示比较在连续的晶片批次上发生的所
述所施加过程控制参数、所述测得参数及所述经修订过程控制参数的图表的步骤。
12.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括显示基于背景松弛而比较在连续的晶片
批次上发生的所述经修订过程控制参数的反复的图表的步骤。
13.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括以下步骤：
确定一组自回归加权参数；及
基于所述自回归加权参数及在连续的晶片批次上发生的所述测得参数确定所述
经修订反馈控制参数。
14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括通过反复地计算导致差指数值的所述
加权参数来确定所述经修订反馈控制参数的步骤。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述经修订反馈控制参数包括EWMAλ值。
16.一种非暂时性计算机可读存储媒体，其具有计算机可执行指令用于使计算机控制的
设备执行用于监视反馈过程控制系统的方法，所述方法包括以下步骤：
接收与调整半导体装置处理线...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔东燮，戴维·天，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US