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本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极绝缘层和假栅极层，其中假栅极层在鳍片上方具有突起；在假栅极层上形成盖层；选择性刻蚀，去除假栅极层的突起；去除盖层。依照本发明的...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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