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一种相变化存储器元件的制作方法及集成电路存储器元件。该相变化存储器元件为具有复合存储器单元的相变化存储器元件，包括第一存储材料层和第二存储材料层。此复合存储器由基本的相变化材料所组成，例如硫属化合物，以及一或多种添加剂。第一存储材料层采用无...
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