相变化存储器元件的制作方法及集成电路存储器元件技术

一种相变化存储器元件的制作方法及集成电路存储器元件。该相变化存储器元件为具有复合存储器单元的相变化存储器元件，包括第一存储材料层和第二存储材料层。此复合存储器由基本的相变化材料所组成，例如硫属化合物，以及一或多种添加剂。第一存储材料层采用无氧气氛所形成；第二存储材料层采用含氧气氛所形成。使用无氧气氛可防止第一电极的电极表面被氧化。

Method of manufacturing phase change memory element and integrated circuit memory element

Method for manufacturing phase change memory element and integrated circuit memory element. The phase change memory element is a phase change memory element having a composite memory cell including a first storage material layer and a second storage material layer. The composite memory consists of basic phase change materials, such as sulfur compounds, and one or more additives. The first storage material layer is formed by an oxygen free atmosphere, and the second storage material layer is formed with oxygen atmosphere. The use of an oxygen free atmosphere prevents the electrode surface of the first electrode from being oxidized.

【技术实现步骤摘要】
相变化存储器元件的制作方法及集成电路存储器元件共同研究协议的各方纽约国际商业机器公司(InternationalBusinessMachinesCorporation)和中国台湾旺宏电子集团有限公司(MacronixInternationalCorporation，Ltd)为参与本案的共同研究协议的专利申请权人。
本专利技术是有关于一种以相变化材料为基底的存储器元件，以及制作此种存储器元件的方法及其应用。其中，相变化材料包括硫属化合物(chalcogenide)材料。
技术介绍
以相变化材料为基底的存储器材料，例如以硫属化合物为基底的材料或类似的材料，可通过对其施加适用于集成电路的流量水平的电流，来使相变化材料在非晶相(amorphousphase)和结晶相(crystallinephase)之间进行转换。其中非晶相的特性是具有比结晶相还高的电阻值，可被稳定的读取来表征信息(data)。而这个特性已经使业界对于采用可写入电阻材料(programmableresistivematerial)来制作非挥发性存储器电路(non-volatilememorycircuits)产生兴趣。所述的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相变化存储器元件的制作方法，其特征在于，包括：形成具有一电极表面的一第一电极；沉积一复合存储器单元，包括：使用一无氧气氛(oxygen‑free atmosphere)在一反应槽中在该第一电极表面上形成一第一存储材料层；以及使用一含氧气氛(oxygen‑containing atmosphere)在该反应槽中于该第一存储材料层上形成一第二存储材料层；以及在该复合存储器单元上形成一第二电极。

【技术特征摘要】
2016.03.14 US 15/069,7121.一种相变化存储器元件的制作方法，其特征在于，包括：形成具有一电极表面的一第一电极；沉积一复合存储器单元，包括：使用一无氧气氛(oxygen-freeatmosphere)在一反应槽中在该第一电极表面上形成一第一存储材料层；以及使用一含氧气氛(oxygen-containingatmosphere)在该反应槽中于该第一存储材料层上形成一第二存储材料层；以及在该复合存储器单元上形成一第二电极。2.根据权利要求1所述的相变化存储器元件的制作方法，其中在形成该第二存储材料层之后，该第一电极的该电极表面未被氧化；该第一存储材料层包括一硫属化合物(chalcogenide)，且该第二存储材料层包括该硫属化合物和氧以及一添加剂；该添加剂选自于由硅、氮、碳和上述任意组合所组成的一族群。3.根据权利要求1所述的相变化存储器元件的制作方法，其中该无氧气氛包括位于该反应槽中的一无氧气体；该第一电极沉积在具有一无氧表面的一介电层中；且包括以一溅射工艺来形成该第一存储材料层。4.根据权利要求1所述的相变化存储器元件的制作方法，其特征在于，还包括：通过一溅射工艺，使用一无氧溅射靶材，在该电极表面上形成该第一存储材料层；其中，该第一电极沉积在具有一无氧表面的一介电层中；以及通过一溅射工艺，使用该无氧溅射靶材来形成该第二存储材料层，同时将一氧源气体(oxygensourcegas)导入该反应槽。5.根据权利要求1所述的相变化存储器元件的制作方法，其中该第一存储材料层包括硅掺杂锗锑碲(Si-dopedGeSbTe...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙翔澜，郑怀瑜，马修·必实凯，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，国际商用机器公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71