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一种用于在半导体器件中形成一个或多个自对准栅极触点(560)的方法，包括：向衬底(100)提供包括栅极介电层(420)和栅极电极(550)的至少一个栅极堆叠(520)，以及涂覆所述至少一个栅极堆叠(520)的侧边缘的间隔体材料(320)，所...
该专利属于IMEC非营利协会所有，仅供学习研究参考，未经过IMEC非营利协会授权不得商用。

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