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半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:16234645
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本发明提供一种受噪声影响较小而不使制造工艺更复杂并且不增加芯片面积的半导体装置。所述半导体装置包括:具有第一表面和第二表面的半导体衬底;在所述半导体衬底中位于所述第二表面侧的第一导电型漏区;位于衬底区的第一表面侧的第一导电型漂移区;位于所述...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。
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