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本公开提供了一种多电极串行半导体光放大器，包括：衬底；n面电极，形成于衬底的第一表面；n型多层结构，形成于衬底的第二表面，包括：n型下限制层，形成于衬底上；n型波导层，形成于n型下限制层上；有源层，形成于n型多层结构上；p型多层结构，形成于...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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