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本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，所述半导体器件包括由下至上依次排列的衬底、底电极、三元氧化物薄膜和顶电极。所述半导体器件将钛酸锶材料(三元氧化物AO(ABO3)n)应用于器件结构中，通过对于半导体器件的测试可以看出这种结构的半...
该专利属于广东工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过广东工业大学授权不得商用。

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