一种半导体器件及其制备方法技术

本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，所述半导体器件包括由下至上依次排列的衬底、底电极、三元氧化物薄膜和顶电极。所述半导体器件将钛酸锶材料(三元氧化物AO(ABO3)n)应用于器件结构中，通过对于半导体器件的测试可以看出这种结构的半导体器件随着两端施加电压的升高，半导体器件内部的电流先增大到一极值点后突然变小最终维持在一个平稳状态，呈现出明显的负微分电阻特性。这种结构的半导体器件结构简单，可以实现电子器件的高度集成，且稳定性较高。

A semiconductor device and a method of making the same

The present invention discloses a semiconductor device and a method of making the same, in which the semiconductor device comprises a substrate, a bottom electrode, a three element oxide film and a top electrode arranged in order from the bottom to the top. The semiconductor device material strontium titanate (three element oxide AO (ABO3) n) applied to the device structure, the semiconductor device testing semiconductor device of this structure can be seen with the increase of applied voltage at both ends of the current semiconductor device inside the first increases to suddenly finally maintained at a steady state extremum. After showing the apparent negative differential resistance. The structure of the semiconductor device is simple, and the electronic device can be highly integrated, and the stability is higher.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法
本申请涉及半导体
，更具体地说，涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
近年来随着对阻变式存储器(RRAM)器件研究的不断深入，很多钙钛矿结构的阻变材料被发现。钙钛矿材料是指一类陶瓷氧化物材料，其分子通式为ABO3，这些材料都有着稳定的电阻开关特性。SrTiO3作为一种经典的钙钛矿结构材料，因为它具有可调谐的高介电常数、较低的介电损耗、良好的热稳定性等优良性能广泛应用于消磁、微波、超导、传感、催化等各个方面。认识到SrTiO3本身具有如此丰富的性能，科研学者们开展了大量的工作对SrTiO3各项属性进行了深入研究，介电、热导性能始终是各种研究的重点，但是自从在钛酸锶基材料发现反常电学性质之后，材料的阻变特性成为了研究的新热点，出现了很多关于电阻开关的文章，人们相继在La:SrTiO3、Nb:SrTiO3、Cr:SrTiO3、SrTiO3单晶等多种钛酸锶基材料中发现了电阻开关现象。虽然对于钛酸锶基材料的性能研究较为广泛，但缺少钛酸锶基材料在半导体器件中的应用。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种半导体器件及其制备方法，以实现将钛酸锶基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面的底电极；位于所述底电极背离所述衬底一侧表面的三元氧化物薄膜，所述三元氧化物薄膜的化学通式为AO(ABO3)n；位于所述三元氧化物薄膜背离所述底电极一侧表面的顶电极。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面的底电极；位于所述底电极背离所述衬底一侧表面的三元氧化物薄膜，所述三元氧化物薄膜的化学通式为AO(ABO3)n；位于所述三元氧化物薄膜背离所述底电极一侧表面的顶电极。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述三元氧化物薄膜为RP结构的(SrO(SrTiO3)10)薄膜。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述底电极为LaNiO3电极或SrRuO3电极或FTO电极或ITO电极或Pt电极。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述顶电极为Au电极或Pt电极或Al电极或W电极或ITO电极。5.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：制备三元氧化物溶胶，所述三元氧化物薄膜的化学通式为AO(ABO3)n；在衬底表面制备底电极；利用所述三元氧化物溶胶在所述底电极背离所述衬底一侧表面制备三元氧化物薄膜；在所述三元氧化物薄膜背离所述底电极一侧表面制备顶电极。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，当所述三元氧化物溶胶为(SrO(SrTiO3)10)溶胶时，所述制备三元氧化物溶胶包括：向Sr(Ac)2溶液中滴入预设体积乙酰丙酮作为稳定剂；将Ti(OC4H9)4溶液滴入加入稳定剂的Sr(Ac)2溶液中，在滴入Ti(OC4H9)4溶液的过程中不断搅拌直至获得稳定...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明顶，唐新桂，岳经龙，刘秋香，蒋艳平，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东,44