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为了提供一种能够改善信息的读出精度的配置有反熔丝存储单元的半导体设备。本发明提供一种半导体设备，其中，N沟道型的存储晶体管、选择核心晶体管和选择体晶体管分别以串联的方式电连接。存储晶体管和选择核心晶体管形成在SOI衬底的硅层中，并且，选择体...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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