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本公开提供一半导体装置。上述半导体装置包括源极/漏极、栅极、形成于上述栅极的侧壁上的栅极间隔物、以及形成于上述源极/漏极上的介电元件。上述栅极间隔物形成于栅极与介电元件之间。形成一凹口于上述介电元件的上表面中。形成介电层于介电元件的上表面及...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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