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半导体存储器装置制造方法及图纸
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文档序号:16217943
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半导体存储器装置。本发明降低半导体存储器装置刷新时的大的峰值电流IDDP,并且确保位线的感测放大器容限为规定值以上。半导体存储器装置在多条字线与多条位线的各交叉点处分别具有存储器胞元,且具备从来自多个存储器胞元的多条数据线读出数据的感测放大...
该专利属于力晶科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过力晶科技股份有限公司授权不得商用。
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