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本发明的实施例提供了一种制造非易失性存储器的方法。提供包括第一区域和位于第一区域的外围处的第二区域的衬底。在衬底的第一区域上形成多个堆叠结构。在衬底的第二区域上形成壁结构。在衬底上方形成导电层。在导电层上方形成底部抗反射涂层。回蚀刻底部抗反...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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