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本发明的实施例包括具有与互连线自对准的顶上过孔和贯穿过孔的互连结构，以及形成这种结构的方法。在实施例中，在层间电介质(ILD)中形成互连结构。可以在ILD中形成一个或多个第一互连线。互连结构还可以包括ILD中的以与第一互连线交替的图案布置的...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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