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本发明提供一种扇出型单裸片封装结构及其制备方法,包括提供载体,在载体上形成粘合层;在粘合层上形成芯片结构;在粘合层上形成塑封层,其中,塑封层包覆芯片结构;去除载体和粘合层以暴露出芯片结构;在暴露出芯片结构的塑封层上形成第一介电层,并对第一介...该专利属于中芯长电半导体(江阴)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯长电半导体(江阴)有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种扇出型单裸片封装结构及其制备方法,包括提供载体,在载体上形成粘合层;在粘合层上形成芯片结构;在粘合层上形成塑封层,其中,塑封层包覆芯片结构;去除载体和粘合层以暴露出芯片结构;在暴露出芯片结构的塑封层上形成第一介电层,并对第一介...