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用于降低动态功率和峰值电流的SRAM位线和写入辅助装置与方法及双输入电平移位器制造方法及图纸
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下载用于降低动态功率和峰值电流的SRAM位线和写入辅助装置与方法及双输入电平移位器的技术资料
文档序号:16081465
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描述了一种装置,包括成组耦合在一起的多个存储器阵列、本地写入辅助逻辑单元、和读取/写入本地列复用器,以使得由所述组中的所述本地写入辅助逻辑单元和所述读取/写入本地列复用器占用的面积小于在使用全局写入辅助逻辑单元和读取/写入全局列复用器时所占...
该专利属于英特尔公司所有,仅供学习研究参考,未经过英特尔公司授权不得商用。
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