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本发明的实施方式提供一种可提升处理能力的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含可设定为至少4个阈值电压中的任一个阈值电压的第1存储单元(MT)、第1位线(BL)、字线(WL)、及连接于第1位线(BL)的第1感应放大器(SAU)。第1感...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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