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提供能抑制沟道层的高电阻化的半导体元件和能用于该元件制造的晶体层叠结构体。作为一实施方式，提供一种Ga2O3系半导体元件(10)，其具有：包括包含受主杂质的β‑Ga2O3系单晶的高电阻基板(11)；高电阻基板(11)上的包括β‑Ga2O3系...该专利属于株式会社田村制作所;国立研究开发法人情报通信研究机构;国立大学法人东京农工大学所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社田村制作所;国立研究开发法人情报通信研究机构;国立大学法人东京农工大学授权不得商用。