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本发明提供一种半导体器件制备方法，利用鳍形沟道结构中掺杂层和非掺杂层的湿法蚀刻速度的差异，蚀刻去除栅极底部结构形成悬空于半导体衬底上方的沟道，形成全包围的栅极结构，在以鳍式场效应晶体管为半导体基体的结构中有效地抑制了短沟道效应、漏场和穿通的...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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