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一种半导体器件包含设置于衬底上方的鳍结构、栅极结构及源极。鳍结构包含暴露于隔离绝缘层的上层。栅极结构设置于鳍结构的上层的一部分上方。源极包含未被栅极结构覆盖的鳍结构的上层。源极的鳍结构的上层由晶体半导体层覆盖。晶体半导体层由Si和第一金属元...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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