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本发明公开了一种具有不连续P型基区嵌入原胞结构的半导体器件，包括金属集电极、P型集电极、N型场终止层和N‑漂移区，器件顶部包含有源原胞和嵌入原胞，有源原胞的多晶硅和栅电极相连，嵌入原胞的多晶硅和发射极电极相连，有源原胞和嵌入原胞区域都包含P...
该专利属于常州中明半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州中明半导体技术有限公司授权不得商用。

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