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本发明涉及一种具有掺杂的外延区域的半导体器件及其制造方法。本发明的实施例描述了半导体器件上的外延区域。在一个实施例中，通过循环的沉积‑蚀刻工艺来在衬底上沉积所述外延区域。用外延帽层来回填在循环的沉积‑蚀刻工艺期间在间隔体下方产生的空腔。所述...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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