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一种形成半导体器件的方法包括：在衬底上方形成材料层以及在材料层中形成第一沟槽；沿着第一沟槽的侧壁形成共形覆盖层；在沿着第一沟槽的侧壁沉积覆盖层时在材料层中形成第二沟槽以及在第一沟槽和第二沟槽内形成导电部件。本发明实施例涉及半导体器件及其形成...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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