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本发明涉及用于减少的接口和串联触头电阻的触头集成。本发明提供了通过等离子体浸没离子注入(PIII)和/或脉冲PIII在浅深度的半导体材料中轻度注入铂、铱、锇、铒、镱、镝和钆的方法。方法包括沉积衬垫层，然后掩蔽和注入特征以形成n型和p型半导体...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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