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本公开涉及对改进型晶体管的源/漏延伸控制。提供一种不进行晕环注入的晶体管，包括：栅极；源极区；漏极区；无掺杂外延生长的沟道层，位于所述栅极下方，并且在所述源极区与所述漏极区之间延伸；第一高掺杂层，位于所述沟道层下方，并且能够与所述沟道层共同...
该专利属于三重富士通半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过三重富士通半导体股份有限公司授权不得商用。

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