温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体器件及其制造方法。当在衬底上形成具有2种不同宽度的侧壁时，防止由于侧壁形成用的绝缘膜被埋入栅电极间而导致的半导体器件的可靠性降低。在低耐压的MISFETQ2的栅电极G2、和包括控制栅电极CG及存储器栅电极MG的图案的各自的侧...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。