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本公开的实施例涉及能够与分栅式闪存单元一起形成并且提供每单位面积高电容的叉指电容器及其形成方法。在一些实施例中，该叉指电容器具有设置在半导体衬底的上表面内的阱区。多个沟槽从该半导体衬底的上表面垂直延伸至阱区内的位置处。下部电极布置在多个沟槽...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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