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本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法被提供如下。目标层被形成。硬掩模层形成在目标层上。硬掩模层被图案化以形成包括第一掩模图案和台地形掩模图案的叠加掩模图案。第一掩模图案围绕台地形掩模图案。第一掩模图案与台地形掩模图案间隔...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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