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包括多平面结构的非易失性存储装置制造方法及图纸
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下载包括多平面结构的非易失性存储装置的技术资料
文档序号:15957672
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一种非易失性存储装置包括:具有第一平面和第二平面的存储单元阵列和通过第一串选择线连接至第一平面并且通过第二串选择线连接至第二平面的地址译码器。地址译码器将串选择信号和串未选择信号提供给第一串选择线和第二串选择线。第一译码器基于对应于第一平面...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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