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公开一种具有锥形镶嵌孔口的半导体结构。该半导体结构包括位于层间介电(ILD)层上方的蚀刻停止层、位于蚀刻停止层上方的低k介电层、以及至少进入低k介电层中的锥形孔口；其中，使用铜(Cu)填充锥形孔口，孔口的安装表面部分的宽度从第一较宽宽度向内...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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