温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本揭露内容的方法包含提供一半导体基板，其具有第一和第二区域，分别地掺杂第一和第二掺杂物。第一和第二掺杂物为相反的型式。此方法更进一步地包含磊晶成长第一半导体层，其掺杂第三掺杂物。第一和第三掺杂物为相反的型式。此方法更进一步地包含在第一半导体...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。