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用于制造半导体器件的方法包括：形成在基板上突出的鳍型图案；形成交叉鳍型图案的栅电极；通过利用干蚀刻在第一鳍型图案内形成邻近于栅电极的第一凹陷；通过用包括沉积工艺和蚀刻工艺的表面处理工艺处理第一凹陷的表面而形成第二凹陷；以及在第二凹陷中形成外...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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